在人工智能與大數(shù)據(jù)技術(shù)驅(qū)動存儲需求指數(shù)級增長的產(chǎn)業(yè)變革期，新存科技于近日重磅推出新一代內(nèi)存級存儲芯片NM111。這款采用全自主知識產(chǎn)權(quán)三維集成技術(shù)的突破性產(chǎn)品，憑借64Gb超大容量、低延遲及高耐久性等核心指標(biāo)，達(dá)到國際領(lǐng)先水平，為我國構(gòu)建自主可控的存儲產(chǎn)業(yè)生態(tài)注入強(qiáng)勁動能。

作為國內(nèi)首款具備內(nèi)存級性能的新型存儲芯片，NM111通過先進(jìn)的三維垂直堆疊架構(gòu)與納米級互聯(lián)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)64Gb超大容量，存儲密度較傳統(tǒng)DRAM提升數(shù)倍。該芯片支持內(nèi)存語義訪問，支持隨機(jī)讀寫操作，讀取延時低至百納秒，帶寬高達(dá)3.2Gbps，可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器內(nèi)存擴(kuò)展、數(shù)據(jù)庫緩存等場景。其突破性的非易失特性更可實(shí)現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)保護(hù)，在元數(shù)據(jù)存儲等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)⑾到y(tǒng)性能提升至全新維度。

新存科技于2024年9月和2025年初分別發(fā)布首款64Gb國內(nèi)最大容量三維新型存儲級芯片NM101，和128Gb的升級產(chǎn)品NM102。此次發(fā)布的NM111屬于全新持久內(nèi)存芯片系列，在性能和可靠性方面實(shí)現(xiàn)全面提升?；诠驹谠O(shè)計、材料、工藝、器件、測試等多方面的持續(xù)創(chuàng)新，NM111耐久度較前作提升超10倍，抗干擾能力大幅增強(qiáng)，可滿足客戶各種內(nèi)存應(yīng)用場景的需求。

NM111采用創(chuàng)新的架構(gòu)設(shè)計，憑借大容量、低延遲、高壽命等優(yōu)勢，為AI大模型推理提供多維度的優(yōu)化方向，大幅提升計算與存儲的融合效率，更好地服務(wù)于大算力數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施。搭配合作伙伴的系統(tǒng)解決方案，NM111可使數(shù)據(jù)存儲在相同投入下存得更多、存得更快、存得更久。終端客戶的測試結(jié)果顯示，配合先進(jìn)的系統(tǒng)接口協(xié)議，該芯片賦能高性能模組，可支持超大容量內(nèi)存空間，為系統(tǒng)解決方案提供無限可能。

新存科技在大容量新型存儲芯片領(lǐng)域堅(jiān)持自主研發(fā)、持續(xù)更新迭代，未來還將推出更多系列的芯片產(chǎn)品。公司將與上下游合作伙伴深度合作，在新型存儲芯。