12月22日，中國集成電路設(shè)計業(yè)2021年會暨無錫集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇(ICCAD 2021)舉行。 　　

據(jù)媒體報道，會上，臺積電南京公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球表示，臺積電將于明年3月推出5nm汽車電子工藝平臺，汽車工藝產(chǎn)品會符合所有汽車安全規(guī)則。 　　

同時，他還透露，臺積電將在2nm節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)并采用新的材料。 　　

羅鎮(zhèn)球最后表示臺積電從今年開始大幅提升資本開支，在2021年-2023年，會在已擴產(chǎn)的基礎(chǔ)上投資超過1000億美元。 　　

Nanosheet/Nanowire晶體管應(yīng)該取代的是FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，不同于三星在3nm上直接上馬GAA(環(huán)繞柵極晶體管)，臺積電3nm(至少第一代)仍延續(xù)FinFET。 　　

資料顯示，F(xiàn)inFET(又稱3D晶體管)系華人教授胡正明于1999年發(fā)明，他出生于北京豆芽菜胡同，曾任臺積電首席技術(shù)官。FinFET第一代由Intel在2012年的22nm節(jié)點應(yīng)用量產(chǎn)，當(dāng)時臺積電、三星還停留在28nm工藝。 　　

直到Bulk CMOS工藝技術(shù)在20nm走到盡頭之后，胡教授發(fā)明的FinFET和FD-SOI工藝得以使三星/臺積電的14nm/16nm延續(xù)摩爾定律傳奇至今。